tunnel diode

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隧道二极管

电路符号 - 维基百科,自由的百科全书 ... 电解电容器( ANSI) 隧道二极管( Tunnel diode) 发光二极管( LED) ...

隧道二极体

隧道二极体Tunnel Diode)、江崎二极体(Esaki Diode)、透纳二极体由日本人江崎玲于奈于1957年发明。

隧道二级管

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江崎二极管

13、江崎二极管tunnel diode)   它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。

透纳二极体

透纳二极体Tunnel diode)是一种渗有高浓度杂质的二极体元件,1958年由日本人江崎所发明,故又称江崎二极体(Esaki Di…

隧二极体

微波元件分为,穿隧二极体(tunnel diode),冲渡二极体(IMPATT diode),转移电子元件(transferred-electron device,TED)、和 …

隧道效应

江崎玲于奈博士因发现半导体中的隧道效应(Tunnel diode)现象而获得1973年度诺贝尔物理学奖。江崎玲于奈博士在日本及美国 …

隧效应二极体

隧效应二极体 (tunnel diode)、江崎二极体(Esakidiode)、透纳二极体是利用量子穿隧效应的作用,会出现顺向电压增加时流通 …

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